三星推出其第三代HBM2E Flashbolt存储器

三星本周宣布了其第三代HBM2E“ Flashbolt”存储器。最新一代的高带宽内存2旨在最大程度地提高HPC系统的计算性能，并协助制造商改进其超级计算机设计。

三星的新型“ Flashbolt” HBM2E的容量将是上一代8GB“ Aquabolt” HBM2的两倍，同时可以显着提高带宽并提高电源效率，从而显着提高下一代计算机系统的性能。

三星内存销售与市场营销执行副总裁Cheol Choi表示：“随着当今市场上性能最高的DRAM的推出，我们正在迈出关键的一步，以增强我们在快速增长的高端内存市场中作为领先创新者的作用。电子产品。“随着我们巩固在全球存储器市场的优势，三星将继续履行其带来真正差异化解决方案的承诺。”

为了在HBM2E中实现16GB的容量，三星在缓冲芯片顶部垂直堆叠了8层10nm级(1y)16千兆位DRAM芯片。该封装以40,000个TSV的排列相互连接，每个16Gb芯片包含5600多个微观孔。

新型“ Flashbolt” HBM2E通过使用用于信号传输的优化电路设计，提供了每秒3.2吉比特的数据传输速度，并在某些应用中提供了每堆栈410GB / s的内存带宽。这些性能指标比以前的HBM2 Aquabolt的307GB / s带宽提高了1.7倍。