新型DRAM可能为即时PC铺平道路

值得期待的事情：在单个封装中具有RAM和NAND的优势是存储器制造商多年来一直在尝试的尝试，但收效甚微。新型的非易失性存储器可能是设备的关键，因为它具有类似于RAM的速度和类似于NAND的功能，在断电时可以几乎立即打开并从您上次中断的位置继续恢复。

如果您一直关注有关内存技术的新闻，则可能听说过几种可使RAM和SSD更快，更密集，更节能的技术。那里还有许多研究集中在寻找一种进行“内存中计算”的方法，从根本上消除了数据在处理器，内存和设备的非易失性存储之间往返的需求。

所有这些都源于以下事实：将数据写入DRAM是快速且节能的，但是一旦断电，数据的完整性也会随之下降。然后，您必须不断刷新该数据，效率不是很高。另一方面，NAND是一种相对健壮的数据存储方式，但是写入和擦除操作速度很慢，会使单元性能下降，使其无法用作工作内存。

英国兰开斯特大学的研究人员说，他们已经建立了一种新型的非易失性存储器，它以DRAM的速度工作，而据报道在写入数据时仅消耗后者所需能量的百分之一。

原型技术称为UK III-V存储器，它基于20纳米光刻工艺构建。研究人员解释说，它提供了5ns的写入时间(与DRAM相当)和类似闪存的读取简单性。但最有趣的功能实际上是非易失性，即在断电时保持数据完整的能力。