场效应晶体管是用什么控制漏极电流（场效应晶体管）

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原发布者:kevlar0223

场效应晶体管基本知识1.2.评价FET器件性能的基本参数为：阈值，场效应迁移率，开关比和亚阈值斜率。在不同栅压VG下，源漏电流ISD随源漏电压VSD的变化曲线称为FET的输出特征曲线；在不同的源漏电压VSD下，源漏电流ISD随栅压VG的变化曲线称为FET的转移特性曲线。（测量输出和转移特性曲线时，通常源极接地）3.VSDVGVT时，电压增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上，SD基I本趋于不变，沟道电流达到饱和，器件工作在饱和区。W(2)ISD=iμCi(VGVT)22L5.阈值电压VT是用来度量FET中产生使其导电沟道开启所必须的静电诱导电荷的栅极电压，单位为V。通常，我们希望阈值（绝对值）越低越好，这意味着器件可以在更低的电压下正常工作。6.阈值电压VT的获得：一、根据描述FET工作在线性区域的公式，在较小VSD时的转移曲线的线性区域外推至零电流处即为VT；二、利用饱和区FET转移曲线ISD1/2VG，进行线性拟合，拟合线与VG轴的交点即为阈值电压VT。7.8.阈值影响因素：半导体与绝缘层间界面的电荷陷阱密度、源漏电极接触质量和是否存在内建导电沟道。场效应迁移率是指在单位电场下，电荷载流子的平均漂移速率，它反映了在不同电场下空穴或电子在半导体中

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