三星开始开发DDR6内存采用MSAP封装技术传输速度高达17000Mbps

DDR5内存在几个月前才成为主流，但三星已经处于下一代DDR6内存的早期开发过程中。三星确认DDR6内存的早期开发已经开始，利用MSAP技术并旨在提供高达17,000Mbps的速度在韩国水原举行的一次研讨会上，三星测试和系统封装(TSP)副总裁透露，随着未来内存本身性能的扩展，封装技术需要不断发展。该公司证实，它已经处于下一代DDR6内存的早期开发阶段，该内存将使用MSAP技术。

据三星称，MSAP已被其竞争对手(SK海力士和美光)用于DDR5。那么MSAP有什么新功能呢?嗯，MSAP或改进的半加法工艺允许DRAM制造商创建具有更精细电路的内存模块。这是通过在先前未触及的空白空间中涂覆电路图案来实现的，从而实现更好的连接和更快的传输速度。下一代DDR6内存不仅将利用MSAP来增强电路连接，还可以适应将被合并到DDR6内存中的层数增加。

三星开始开发DDR6内存：采用MSAP封装技术，传输速度高达17,000Mbps2

之前的拉盖方法只在圆形铜板将要形成电路图案的区域进行涂覆，而将其他区域蚀刻掉。

但在MSAP中，除了电路之外的区域都经过涂层处理，而空白区域则进行了电镀，从而可以实现更精细的电路。副总裁说，随着存储芯片容量和数据处理速度的增加，封装的设计必须适应这一点。Ko说，随着层数的增加和工艺变得更加复杂，内存封装市场也有望成倍增长。

在扇出方面，另一种将I/O端子放置在芯片外部以使芯片变得更小同时保持球布局的封装技术，三星同时应用了扇出晶圆级封装(FO-WLP)和风扇面板级封装(FO-PLP)。

三星预计其DDR6设计将在2024年完成，但预计2025年之后不会商用。在规格方面，DDR6内存将是现有DDR5内存的两倍，传输速度高达12,800Mbps(JEDEC)和超频速度超过17,000Mbps范围。目前，三星最快的DDR5DIMM具有高达7,200Mbps的传输速度，因此在JEDEC上提高了1.7倍，在下一代内存芯片的超频速度下提高了2.36倍。

话虽如此，内存制造商已经强调了在未来将高达DDR5-12600的速度，因此DDR5绝对具有消费平台的潜力。随着AMD的Zen4和